TAILIEUCHUNG - Lumped Elements for RF and Microwave Circuits phần 7

phụ thuộc vào sự tách biệt giữa thông qua lỗ. Sự gia tăng mạnh trong điện cảm tương đương W = 2 mils tại 2 GHz được báo cáo là do các vấn đề chính xác số trong phân tích. Đo lường-dựa trên mô hình mô hình đo lường dựa trên một lỗ thông qua có thể được bắt nguồn bằng cách sử dụng một cổng hoặc hai cổng S-các thông số. | Via Holes 289 depends on the separation between via holes. The sharp increase in equivalent inductance for W 2 mils at 2 GHz is reported to be due to the numerical precision problem in the analysis. Measurement-Based Model The measurement-based model of a via hole can be derived using one-port or two-port s-parameters. In this case the via hole structure is represented by a lumped-element EC. Figure a shows the top view of a via hole embedded in the transmission line TRL. The equivalent circuit representation of this element given in Figure b is composed of a series inductance and shunt capacitance associated with the via hole pad and the shunt inductance and Figure a Via hole embedded in TRL standard and b model of a via hole. 290 Lumped Elements for RF and Microwave Circuits resistance of the metal plug. The comparison between the via hole model and its three measured data sets shown in Figure indicates an excellent correlation. Table provides model parameters for two pad dimensions and two substrate thicknesses. A via hole model has also been validated by comparing the measured and simulated S11 data for a 5-pF capacitor terminated by a via hole using a 75-m m-thick GaAs substrate. Via Fence Low-cost RF and microwave systems mandate a higher level of integration and more circuit functions in a smaller package. In other words one needs to integrate RF microwave circuits digital circuits and interconnect and bias lines in a compact package to lower the volume and cost. When such components are placed in proximity to each other a fraction of the power present on the Figure Measured versus modeled input reflection coefficient of a via hole. Substrate thickness 125 mm. Via Holes 291 Table Physical Dimensions and Equivalent Model Parameters Values for Via Hole of Figure Physical Dimensions VIA75-1 VIA75-2 VIA125-1 VIA125-2 Units Width W 175 225 175 225 m Length 175 225 175 225 m Substrate thickness h 75 75 125 125 m .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.