TAILIEUCHUNG - Ferroelectrics Applications Part 7

Tham khảo tài liệu 'ferroelectrics applications part 7', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Future Memory Technology and Ferroelectric Memory as an Ultimate Memory Solution 127 cell structures but also by certain aspects of its performance. To circumvent cell-to-cell interference width of a floating gate tends to be more aggressively squeezed than space between floating gates See Fig. 3b . This seems to result in a high aspect ratio of a gate stack. Such a high aspect ratio can provoke fabrication difficulty of memory cells due to its mechanical instability. And stored charge . electron in a floating gate can redistribute easily in operational conditions leading to vulnerability of poor data retention. Since the interference originates from another type of coupling between floating gates FGs it is desirable to find innovative structures where charge storage media do not have a form of continuum of charge like the floating gate style but have a discrete sort such as charge traps CTs in a nitride layer. The typical examples are non-volatile memories with non-floating gate for example SONOS silicon-oxide-nitride-oxide-silicon Mori et al. 1991 SANOS silicon-alumina-nitride-oxide-silicon Lee et al. 2005 TANOS TaN-alumina-nitride-oxide-silicon Shin et al. 2006 or nano-crystal dots Tiwari et al. 1995 Nakajima et al. 1998 . Recently 32 Gb flash memory has been reported in particular in 40 nm of technology node Park et al. 2006 . They have pioneered a novel structure with a high-A dielectric of Al2O3 as the top oxide and TaN as a top electrode. With this approach they can achieve several essential properties for NAND flash memory reasonable programming erasing characteristics an adequate VPASS window for multi-bit operation and robust reliability. It is noteworthy that a TANOS structure has much better mechanical stability than that of an FG-type cell because of the far lower stack in height. Interference among TANOS cells hardly occurs due to nature of the charge trap mechanism-SiN silicon nitride traps act as point charges. This is the biggest advantage in .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.