TAILIEUCHUNG - Optoelectronics Materials and Techniques Part 4

Tham khảo tài liệu 'optoelectronics materials and techniques part 4', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 80 Optoelectronics - Materials and Techniques Increasing the oxygen content the refractive index decreases. For x there is a kink point the same as the one found for the IR peak position figure 8 section . In our opinion this is due to structural transformations that occur for highly oxygenated SiOx layers. More on this issue in section 7. What about the optical band-gap determined within the OJL model And with the Tauc band gap These questions are answered hereunder. Because the Tauc gap needs a special representation this question will be treated first. The absorption coefficient was calculated from the transmittance data considering the layer thickness obtained via the OJL model. According to the theory of the model presented in the previous section the intercept with the Ox axis of the linear region of y a- h 0 f hw plot is the Tauc optical band-gap EgT. The modality to obtain it and automatically the EgT values are shown in the figure 23 for SiOx samples. Analyzing the optical-gap values plotted in figure 24 we can say that increasing the oxygen content the band-gap increases. This is in good agreement with the trend observed for the refractive index SiOx with smaller refractive index is characterized by larger band-gap. This is a general feature of the semiconductor materials Ravindra et al. 1979 . Moreover speaking of the similarities between the determined band-gap and the refractive index a kink around x appears. This is like a breaking in the physical properties of the SiOx material. IO Õ 700- 600- 500- 400- 300- 200- 100- 0-- 1 0 x 0 35 x 0 59 x 0 78 x 1 02 15 20 25 30 photon energy eV Fig. 23. The Tauc plots see the Rel. 21 and the corresponding Tauc band-gap values for various SiOx layers compositions. The optical band-gap in the OJL model Eo and the exponential decay Y of the localized electronic states are obtained from simulation as fit parameters. In figure 24 these parameters are given as a function of the oxygen content. When the .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.