TAILIEUCHUNG - Báo cáo vật lý: "EFFECTS OF Si, Al2O3 AND SiC SUBSTRATES ON THE CHARACTERISTICS OF DBRS STRUCTURE FOR GaN BASED LASER"

Tuyển tập các báo cáo nghiên cứu khoa học trên tạp chí khoa học vật lý quốc tế đề tài: EFFECTS OF Si, Al2O3 AND SiC SUBSTRATES ON THE CHARACTERISTICS OF DBRS STRUCTURE FOR GaN BASED LASER | Journal of Physical Science Vol. 17 2 151-159 2006 151 EFFECTS OF Si Al2O3 AND SiC SUBSTRATES ON THE characteristics of DBRS STRUCTURE FOR GaN BASED LASER . Ahmed . Hashim and Z. Hassan School of Physics Universiti Sains Malaysia 11800 USM Pulau Pinang Malaysia Corresponding author nas_tiji@ Abstract Films of AlGaN and GaN are used as a Distributed Bragg Reflector DBR mirror for light emitting diode LED and vertical-cavity surface-emitting laser VCSEL type of laser. In this paper we report the influence of different substrates on the reflectivity of DBR structure by using three different substrates sapphire silicon carbide and silicon. The DBR structure and optical properties of the films have been studied using the transfer matrix method TMM . Better characteristics are obtained when Si substrates are used as compared to conventional Al2O3 substrates. This suggests that Si is a very promising substrate for GaN-based DBR mirror for blue laser diodes. Keywords DBR structure VCSEL TMM 1. INTRODUCTION III-V nitride semiconductors offer a wide range of applications due to their wide direct band gap which is not found in conventional semiconductors. The current semiconductor technology covers only the region between infrared to green 1 . The band gap of GaN at room temperature is eV corresponding to a wavelength of 365 nm in the ultraviolet region and that of InN AlN are and eV respectively. Technology-based semiconductors like GaAs cannot reach such shorter wavelengths and it is this property of III-V nitrides which makes them significant for optoelectronic applications like laser diodes 2 . The group III nitrides are promising materials for optoelectronic devices high temperature electronics and cold cathodes because of their large band gap high thermal stability high saturation velocity and excellent physical properties. There are two main problems related to In Ga Al N epitaxial layer growth. First it is difficult in achieving useful .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.