TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: "Various Quantum- and Nano-Structures by III–V Droplet Epitaxy on GaAs Substrates"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Various Quantum- and Nano-Structures by III–V Droplet Epitaxy on GaAs Substrates | Nanoscale Res Lett 2010 5 308-314 DOI S11671-009-9481-9 NANO EXPRESS Various Quantum- and Nano-Structures by III-V Droplet Epitaxy on GaAs Substrates J. H. Lee Zh. M. Wang E. S. Kim N. Y. Kim S. H. Park G. J. Salamo Received 23 September 2009 Accepted 28 October 2009 Published online 15 November 2009 to the authors 2009 Abstract We report on various self-assembled In Ga As nanostructures by droplet epitaxy on GaAs substrates using molecular beam epitaxy. Depending on the growth condition and index of surfaces various nanostructures can be fabricated quantum dots QDs ring-like and holed-triangular nanostructures. At near room temperatures by limiting surface diffusion of adatoms the size of In droplets suitable for quantum confinement can be fabricated and thus InAs QDs are demonstrated on GaAs 100 surface. On the other hand at relatively higher substrate temperatures by enhancing the surface migrations of In adatoms super lower density of InGaAs ring-shaped nanostructures can be fabricated on GaAs 100 . Under an identical growth condition holed-triangular InGaAs nanostructures can be fabricated on GaAs type-A surfaces while ringshaped nanostructures are formed on GaAs 100 . The formation mechanism of various nanostructures can be understood in terms of intermixing surface diffusion and surface reconstruction. Keywords Droplet epitaxy Nanostructures High-index GaAs Atomic force microscope Molecular beam epitaxy J. H. Lee E. S. Kim N. Y. Kim S. H. Park Department of Electronic Engineering Kwangwoon University Nowon-gu Seoul 139-701 South Korea e-mail jihoonleenano@ Zh. M. Wang G. J. Salamo Institute of Nanoscale Science and Engineering University of Arkansas Fayetteville AR 72701 USA e-mail zmwang@ Introduction Owing to their unique optoelectronic and physical properties self-assembled semiconductor quantum- and nanostructures have been the focus of rigorous research efforts in basic physics 1-5 and solid-state devices. As an example a number

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.