TAILIEUCHUNG - Advances in Optical and Photonic Devices 2011 Part 7

Tham khảo tài liệu 'advances in optical and photonic devices 2011 part 7', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | GaAs AlOx Nonlinear Waveguides for Infrared Tunable Generation 139 combination of high nonlinearity and long interaction length of periodically-poled LiNbOs has considerably increased the conversion efficiency of DFG and OPO systems based on this crystal making them accessible to diode laser or fiber laser pumping. The implementation of QPM had an even stronger impact on GaAs. This semiconductor has a x 2 coefficient considerably higher than those of LiNbOs and of most inorganic crystals. Nevertheless until the last decade it was not employed for frequency conversion since it is neither anisotropic nor ferroelectric and thus not readily suitable to the application of the above phase matching schemes. In 2001 the fabrication of the first effective QPM GaAs bulk crystals based on lattice-matched heteroepitaxy of GaAs Ge films on GaAs substrates Eyres et al. 2001 rapidly opened the way for a series of tunable infrared sources with impressive performances. Among the results that followed from this technological innovation was the first GaAs-based optical parametric oscillator reported in 2004 Vodopyanov et al. 2004 . Due to the high nonlinearity and wide transparency range of GaAs this device was continuously tunable between and 9 pm limited only by mirror reflectivity with a maximum conversion efficiency of 25 . Based on these recent results GaAs appears to be mature as an alternative to LiNbOs for the fabrication of infrared sources. Integrated frequency converters for the IR generation In terms of performances frequency converters show substantial advantages compared to laser diodes. They are suitable for oscillation from CW to femtosecond regimes offer wider tunability ranges and great flexibility especially since the advent of periodically poled materials. In addition the recent demonstration of orientation-patterned GaAs promises to extend the versatility of sources based on periodically poled LiNbOs to the whole midinfrared region. On the other hand .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
69    272    11
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.