TAILIEUCHUNG - báo cáo hóa học:" Electronic Structures of S-Doped Capped C-SWNT from First Principles Study"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Electronic Structures of S-Doped Capped C-SWNT from First Principles Study | Nanoscale Res Lett 2010 5 1027-1031 DOI s11671-010-9594-1 NANO EXPRESS Electronic Structures of S-Doped Capped C-SWNT from First Principles Study L. Wang Y. Z. Zhang Y. F. Zhang X. S. Chen W. Lu Received 14 January 2010 Accepted 29 March 2010 Published online 14 April 2010 The Author s 2010. This article is published with open access at Abstract The semiconducting single-walled carbon nanotube C-SWNT has been synthesized by S-doping and they have extensive potential application in electronic devices. We investigated the electronic structures of S-doped capped 5 5 C-SWNT with different doping position using first principles calculations. It is found that the electronic structures influence strongly on the workfunction without and with external electric field. It is considered that the extended wave functions at the sidewall of the tube favor for the emission properties. With the S-doping into the C-SWNT the HOMO and LUMO charges distribution is mainly more localized at the sidewall of the tube and the presence of the unsaturated dangling bond which are believed to enhance workfunction. When external electric field is applied the coupled states with mixture of localized and extended states are presented at the cap which provide the lower workfunction. In addition the wave functions close to the cap have flowed to the cap as coupled states and to the sidewall of the tube mainly as extended states which results in the larger workfunction. It is concluded that the S-doped C-SWNT is not incentive to be applied in field emitter fabrication. The results are also helpful to understand and interpret the application in other electronic devices. L. Wang Y. Z. Zhang Y. F. Zhang National Key Laboratory of Nano Micro Fabrication Technology Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of the Ministry of Education Research Institute of Micro Nanometer Science Technology Shanghai Jiao Tong University 200240 Shanghai People s Republic of China e-mail .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.