TAILIEUCHUNG - Pin mặt trời sử dụng công nghệ giếng lượng tử ( quantum well solar cell

Cấu trúc QW & MQW B(L’) // A( L ) // B( L’ ) QW B/A/B/A/B/A/B/A MQW Kiến thức về gián đoạn vùng và sự kiểm soát nó đóng vai trò quyết định trong việc chế tạo Q = (Ec) /(Eg) (Dingle) | Quantum well solar cell pin mặt trời sử dụng công nghệ giếng lượng tử Nguyễn Tiến Long k12 CNKHTN-ĐHQGHN Outline Nguyên lí Chế tạo Ưu thế Ứng dụng Nguyên lí Cấu trúc giếng lượng tử (QW) Nguyên liệu chế tạo QW Phân loại QW Hố lượng tử GaAs/GaAsAl outline History-lịch sử hình thành Defination-định nghĩa Properties-tính chất Principle-nguyên lí,giải thích Classification-phân loại Application- ứng dụng Cấu trúc QW & MQW B(L’) // A( L ) // B( L’ ) QW B/A/B/A/B/A/B/A MQW Kiến thức về gián đoạn vùng và sự kiểm soát nó đóng vai trò quyết định trong việc chế tạo Q = ( Ec) /( Eg) (Dingle) outline History-lịch sử hình thành Defination-định nghĩa Properties-tính chất Principle-nguyên lí,giải thích Classification-phân loại Application- ứng dụng Nguyên liệu làm QW Chất lượng của giao diện giữa hai vật liệu khác biệt A và B được đánh giá quan trọng nhất qua hằng số mạng Tăng trưởng giả định hình rất cần để đạt được chất lượng cao của chuyển tiếp dị thể QW GaAs/GaAlAs và InGaAs/In­P quan trọng nhất về mặt công nghệ outline History-lịch sử hình thành Defination-định nghĩa Properties-tính chất Principle-nguyên lí,giải thích Classification-phân loại Application- ứng dụng QW GaAs/GaAsAl Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ vào cường độ điện trường Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ phi tuyến sóng điện từ vào độ rộng L của hố lượng tử. Sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ sóng điện từ vào nhiệt độ T Ưu điểm +) Có thể thay đổi gianh giới của giải hấp thụ và hấp thụ được dải rộng hơn + ) Không gấy sai hỏng,trật khớp khi có khoảng tử 65 giếng thế được tạo ra +) Khả năng thay đổi Eg dẫn tới hiệu suất nối tiếp ,tiếp đôi sẽ cao hơn Cải tiến pin bằng chấn tử phân bố phản quang Bragg tăng hiệu suất hấp thụ Ánh sáng Tăng dòng quang điện Không hề gây cản trở dòng Distributed Bragg Reflectors [3] . Johnson et al. Solar Energy Materials and Solar Cells, 2005 Distribute Bragg reflector is a dielectric mirror made from alternative layers of high and low bandgap material In this case we use AlGaAs alloys which have a lattice constant very close to that of the GaAs substrates that the devices are grown on. DBR stop-band over QW absorption region gives photons second pass Efficiency enhancement of ~1% absolute or ~4% relative [1] Thin DBR layers to reduce resistance Stop band moves with incident angle ORIGINAL AIM WAS TO INCREASE EFFICIENCY BY ABSORBING ADDITIONAL PHOTONS Giải thích Mục đích của DBR là hấp thụ các photon khi chúng đi qua MQW lần thứ hai ,hoặc giam cầm nó trong MQW,và cũng hấp thụ chúng trực tiếp MQW DBR MQW DBR Các photon bị hấp thụ lần thứ hai sẽ làm giảm dòng tối trong pin Photon tái xử dụng làm hiệu suất pin lên tới 30,8% (Barham ) Thế mạnh của SB-QWSC + Công suất dòng pin được nhân lên gần gấp đôi + Dải hấp thụ rộng, làm việc ổn định trong nhiều điều kiện biến đổi ánh sáng mặt trời + kích cỡ vài độ mini mét , dễ sản xuất Ứng dụng + Công trình tích hợp năng lượng quang điện + Smart Windows +

• Giáo án điện tử
• giếng lượng tử
• pin mặt trời
• Hố lượng tử
• vật lý lượng tử
• chuyên đề vật lý
• Bài toán giếng lượng tử dây lượng tử
• Dây lượng tử
• Câu hỏi giếng lượng tử dây lượng tử
• Bài tập giếng lượng tử dây lượng tử
• Ôn tập giếng lượng tử dây lượng tử
• Ảnh hưởng năng lượng đến giếng lượng tử
• Hệ giếng lượng tử
• Năng lượng và hàm sóng
• Phương pháp sai phân hữu hạn
• Thời gian sống vận chuyển
• Thời gian sống lượng tử
• Pha tạp một phía
• Cơ chế tán xạ cơ bản trong giếng lượng tử
• Tính chất vận chuyển
• Hệ số Seebeck
• Khí điện tử giả hai chiều
• Giếng lượng tử AlP
• Bề rộng giếng lượng tử
• Mật độ điện tử
• Độ linh động
• Khí điện tử hai chiều
• Giếng lượng tử tam giác GaAs/AlGaAs
• Điện tích phân cực
• Thừa số dạng chắn
• Lý thuyết tính thừa số dạng chắn
• Pha tạp điều biến
• Mô hình giếng lượng tử pha tạp
• Phương pháp biến phân
• Giếng lượng tử pha tạp điều biến đối xứng
• Hiệu ứng uốn cong vùng
• Giá trị của Hamiltonian
• Phổ hấp thụ cộng hưởng của exciton
• Hình thức luận hàm sóng tái chuẩn hóa
• Tần số cộng hưởng của laser bơm
• Giếng lượng tử vuông góc
• Cấu hình nhám
• Độ rộng vạch phổ
• Hấp thụ liên vùng
• Giếng lượng tử InGaN/GaN
• Cấu trúc thấp chiều
• Giam cầm lượng tử
• Giếng lượng tử bán parabol
• Hiện tượng hấp thụ quang
• Luận văn Thạc sĩ Vật lý
• Luận văn Thạc sĩ
• Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
• Các tính chất vận chuyển của điện tử
• Vận chuyển của điện tử
• Khí điện tử
• Cơ chế tán xạ
• Cộng hưởng từ phonon
• Từ trường xiên
• Năng lượng photon
• Phương pháp chiếu toán tử độc lập
• Quá trình vận chuyển lượng tử
• Hàm sóng biến phân
• Vật liệu SiGe
• Trường laser cao tần
• Tương tác electron phonon
• Electron chuyển động tự do
• Vật lý lý thuyết
• Vật lý toán
• Giếng lượng tử GaN/AIN
• Độ linh động của điện tử
• Phương pháp toán tử chiếu phụ
• Công suất hấp thụ phi tuyến
• Giếng lượng tử thế tam giác
• Giếng lượng tử InN/GaN
• Giếng lượng tử thế hyperbol
• Phương pháp toán tử chiếu
• Cộng hưởng cyclotron
• Phương pháp toán tử chiếu cô lập
• Độ linh động của điện tử
• Giếng lượng tử InAs GaAs
• Giếng lượng tử InGaAs GaAsSb
• Phương pháp AAS
• Nước giếng sinh hoạt
• Xử lý nước giếng sinh hoạt
• Nguồn nước ngầm
• Phương pháp quang phổ hấp thụ nguyên tử
• Luận án tiến sĩ vật lý
• Sự giam giữ phonon
• Hiệu ứng cộng hưởng
• Phổ năng lượng của electron
• Hấp thụ tuyến tính
• Công suất hấp thụ
• Thế tam giác
• Công suất hấp thụ tuyến tính
• Cộng hưởng electron phonon
• Phương pháp toán tử