TAILIEUCHUNG - Acoustic Waves From Microdevices to Helioseismology Part 16

Tham khảo tài liệu 'acoustic waves from microdevices to helioseismology part 16', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 588 Acoustic Waves - From Microdevices to Helioseismology Fig. 7. c and a lattice parameters of AlN and Pt films vs the annealing time The measurement of the longitudinal piezoelectric coefficient d33f of the AlN film was done at ambient temperature on the same type multilayer without the outer Pt films before and after the thermal annealing with a method described in ref. 15 and based on the direct piezoelectric effect a longitudinal acoustic wave perturbs the sample via a special probe and the electrical voltage induced in the piezoelectric film is measured. The probe consisted of a metal rod in contact with a Pb Zr Ti O3 PZT -based low frequency transducer that was connected to a pulse generator pulse width ns to produce longitudinal bursts propagating along the metal rod. The contact between the rod and the piezoelectric film surface resulted in the application of a stress on the surface of AlN films. Stress-induced electrical charges were collected at the piezoelectric film surfaces by electrodes the metal rod and the conducting substrate and observed on a scope. The piezoelectric strain constant d33f of the tested films was evaluated comparing the film response with the response of a thin single crystal reference sample whose d33 was known. All the tested films showed to be piezoelectric with a difference in the d33f obtained values not appreciable with this measurement technique because of an error of about 15-20 . The estimated mean value is in the range from and pC N for both the as grown and all the annealed samples these values well agree with the corresponding value reported in the available literature 16 that is about 6 pC N. The sheet resistivity of the Pt layer deposited on the AlN Pt SiO2 Si multilayer free surface was measured at ambient temperature by the four point method before and after the thermal annealing. It was observed that the sheet resistance values decreases with increasing the annealing time starting from Q sq .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.