TAILIEUCHUNG - Nanotechnology and Nanoelectronics - Materials, Devices, Measurement Techniques Part 14

Tham khảo tài liệu 'nanotechnology and nanoelectronics - materials, devices, measurement techniques part 14', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | References 255 138 Mikroelektronik fur die Informationstechnik ISBN 3-8007-2171-6 p 183 292. Horstmann J Hilleringmann U Goser K 1998 Matching Analysis of Deposition Defined 50 nm MOSFETs. IEEE Transactions on Electron Devices vol 45 p 299 293. Lakshmikumar KR Hadaway RA Copeland MA 1986 Characterization and Modeling of Mismatch in MOS Transistors for Precision Analog Design. IEEE Journal of Solid-State Circuits vol SC-21 p 1057 294. Stolk PA Schmitz J 1997 Fluctuations in Submicron CMOS Transistors. Proceedings of the Second Workshop on Innovative Circuits and Systems for Nano Electronics Delft The Netherlands Sep 29-30 1997 p 21 295. Wong HS Taur Y 1993 Three-Dimensional Atomistic Simulation of Discrete Random Dopant Distribution Effects in pm MOSFETs. IEDM 93 Proceedings Digest Technical Papers Dec 5-8 1993 p 705 296. Asenov A 1998 Random Dopant Threshold Voltage Fluctuations in 50 nm Epitaxial Channel MOSFETs A 3D Atomistic Simulation Study. ESSDERC 98 Sep 8-10 1998 Bordeaux France p 300 297. Skotnicki T 1996 Advanced Architectures for pm CMOS Generations. Proceedings of the 26th European Solid State Device Research Conference ESSDERC 96 Sep 9-11 1996 Bologna Italy p 505 298. Hellberg PE Zhang SL Petersson CS 1997 Work Function of Boron-Doped Polycrystalline SiJGe1_J Films. Letters vol 18 p 456 299. Wirth G 1999 Mesoscopic phenomena in nanometer scale MOS devices. Dissertation Universitat Dortmund 300. Wirth G Hilleringmann U Horstmann JT Goser KF 1999 Mesoscopic Transport Phenomena in Ultrashort Channel MOSFETs. Solid-State Electronics vol 43 p 1245 301. Wirth G Hilleringmann U Horstmann JT Goser K 1999 Negative Differential Resistance in Ultrashort Bulk MOSFETs. Proceedings of the 25th Annual Conference of the IEEE Industrial Electronics Society IECON 99 Nov 29-Dec 3 1999 San Jose CA ISBN 0-7803-5735-3 p 29 302. Behammer D 1996 Niedertemperaturtechnologie zur Herstellung von skalierfa-higen Si SiGe Si-Heterobipolartransistoren. Dissertation

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.