TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Surface Chemistry Involved in Epitaxy of Graphene on 3C-SiC(111)/Si(111)"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Surface Chemistry Involved in Epitaxy of Graphene on 3C-SiC(111)/Si(111) | Nanoscale Res Lett 2010 5 1888-1891 DOI s11671-010-9731-x SPECIAL ISSUE ARTICLE Surface Chemistry Involved in Epitaxy of Graphene on 3C-SiC 111 Si 111 Shunsuke Abe Hiroyuki Handa Ryota Takahashi Kei Imaizumi Hirokazu Fukidome Maki Suemitsu Received 25 June 2010 Accepted 2 August 2010 Published online 14 August 2010 The Author s 2010. This article is published with open access at Abstract Surface chemistry involved in the epitaxy of graphene by sublimating Si atoms from the surface of epitaxial 3C-SiC 111 thin films on Si 111 has been studied. The change in the surface composition during graphene epitaxy is monitored by in situ temperature-programmed desorption spectroscopy using deuterium as a probe D2-TPD and complementarily by ex situ Raman and C1s core-level spectroscopies. The surface of the 3C-SiC 111 Si 111 is Si-terminated before the graphitization and it becomes C-terminated via the formation of C-rich 6ự3 X 6ự3 R30 reconstruction as the graphitization proceeds in a similar manner as the epitaxy of graphene on Si-terminated 6H-SiC 0001 proceeds. Keywords Graphene 3C-SiC 111 Si 111 Epitaxy Surface termination Introduction Graphene a single layer of sp2-bonded carbon has fabulous electronic mechanical and optical properties 1 . Graphene is thus expected to be various kinds of applications. Owing to its industrial adaptability epitaxial graphene EG formed by annealing of SiC bulk crystal is attracting recent attentions 2-4 . EG however face two S. Abe H. Handa R. Takahashi K. Imaizumi H. Fukidome M. Suemitsu Research Institute of Electrical Communication Tohoku University 2-1-1 Katahira Aoba-ku Sendai 980-8577 Japan e-mail fukidome@ M. Suemitsu CREST Japan Science and Technology Agency Tokyo 107-0075 Japan 0 Springer challenges the limited diameter of the substrate and the low cost-performance in the current price. To overcome these challenges we have been investigating the use of SiC thin films on Si substrates .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học