TAILIEUCHUNG - The Materials Science of Thin Films 2011 Part 11

Tham khảo tài liệu 'the materials science of thin films 2011 part 11', kỹ thuật - công nghệ, cơ khí - chế tạo máy phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | 478 Electrical and Magnetic Properties of Thin Films reason that technological interest has centered on insulating films employed in microelectronics notably the gate oxide where dielectric breakdown is a serious reliability concern. The remainder of this section will therefore be devoted to SiO2 films Ref. 19 . It is generally agreed that electron impact ionization is responsible for intrinsic breakdown in SiO2 films. In this process electrons colliding with lattice atoms break valence bonds creating electron-hole pairs. These new electrons accelerate in the field and through repeated impacts generate more electrons. Ultimately a current avalanche develops that rapidly and uncontrollably leads to excessive local heating and dielectric failure. Typical of theoretical modeling Refs. 19 20 of breakdown is the consideration of three interdependent issues 1. Electrode charge injection into the insulator . by tunneling Eq. 10-22 . This formula connects current and applied field. 2. The local electric field that is controlled by the relatively immobile hole density through the Poisson equation. 3. A time-dependent change in hole density that increases with extent of impact ionization but decreases with amount of hole recombination or drift away. The resulting rate equation depends on both current and field. Simultaneous satisfaction of these coupled relationships leads to the prediction that the current-voltage characteristics display negative resistance. This appears as a knee in the response above a critical applied voltage and reflects a current runaway instability. Another prediction is that the average breakdown field rises sharply as the film thickness decreases. Reliability concerns for thin SiO2 films in MOS transistors have fostered much statistical analysis of life-testing results and some typical experimental findings include 1. The histogram of the number of breakdown failures due to intrinsic causes peaks sharply at about X 107 v cm Fig. 10-14a . The

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.