TAILIEUCHUNG - Báo cáo khoa học: Mô phỏng đặc trưng dòng - thế của transistor trường phân tử

Transistor trường phân tử là ứng cử viên đầy hứa hẹn để thay thế transistor trường MOSFET trong tương lai vì kích thước nhỏ, công suất tiêu thụ thấp và tốc độ cao. Trong công trình này, chúng tôi giới thiệu mô hình transistor trường phân tử ba chân. Cấu trúc của MFET giống MOSFET truyền thống, nhưng kênh dẫn được thay bằng phân tử benzene ghép 1-4. Chúng tôi sử dụng phương pháp hàm Green không cân bằng để tính hàm truyền và cuối cùng đặc trưng dòng thế của MFET. Chương trình mô phỏng sử dụng GUI trong. | TẠP CHÍ PHÁT TRIỂN KH CN TẬP 12 SÓ 13 - 2009 MÔ PHỎNG ĐẶC TRƯNG DÒNG - THẾ CỦA transisTor trường phân Tử Đinh Sỹ Hiền Huỳnh Hoàng Trung Trường Đại học Khoa học Tự nhiên ĐHQG-HCM TÓM TĂT Transistor trường phân tử là ứng cử viên đầy hứa hẹn để thay thế transistor trường MOSFET trong tương lai vì kích thước nhỏ công suất tiêu thụ thấp và tốc độ cao. Trong công trình này chúng tôi giới thiệu mô hình transistor trường phân tử ba chân. Cấu trúc của MFET giống MOSFET truyền thống nhưng kênh dẫn được thay bằng phân tử benzene ghép 1-4. Chúng tôi sử dụng phương pháp hàm Green không cân bằng để tính hàm truyền và cuối cùng đặc trưng dòng thế của MFET. Chương trình mô phỏng sử dụng GUI trong Matlab. Chúng tôi nhận thấy sự khác nhau đáng kể giữa đặc trưng dòng - thế của MFET và MOSFET truyền thống. Thêm vào đó ảnh hưởng của vật liệu nhiệt độ và điện thế thiên áp đến đặc trưng dòng - thế của MFET cũng đã được khảo sát. Nhờ GUI trong Matlab những kết quả mô phỏng được thể hiện một cách trực quan. Từ khóa Transistor trường phân tử trường MOSFET ĐẦU Điện tử học nano là lĩnh vực tính toán và điều khiển hệ thống ở kích thước nano sử dụng những thuộc tính điện tử của vật liệu. Những linh kiện điện tử nano bao gồm transistor Si kích thước nano transistor đơn điện tử SET diode xuyên hầm cộng hưởng RTD transistor xuyên hầm cộng hưởng RTT những linh kiện spin từ tính và những linh kiện phân tử. GATE a b Hình 1. a Cấu trúc của transistor trường phân tử MFET. b Phân tử dùng làm kênh dẫn được mô tả bởi toán tử Hamilton H và điện thế self - consistent USC. Hiệu ứng của tiếp xúc mở rộng được diên tả bằng những ma trận self - energy 1 2. Quá trình tán xạ có thể diên tả bằng ma trận self - energy khác Np. Những tiếp xúc điện cực S D được xác định lần lượt bằng những mức năng lượng Fermi ịẫị và p2. Điện tử học phân tử là lĩnh vực nghiên cứu cho công nghệ thông tin tương lai. Trọng tâm của công trình này là nghiên cứu về linh kiện phân tử có ba điện cực được gọi là transistor trường phân tử

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.