TAILIEUCHUNG - GTO (GATE TURN OFF THYRISTOR )

Ccấu trúc tương tự mạch mô tả SCR nhưng có thêm cổng kích ngắt mắc song song cổng kích đóng. Ký hiệu linh kiện GTO vẽ trên hình . Cấu trúc thực tế (loại GTO đối xứng) vẽ trên hình . GTO được kích đóng bằng xung dòng điện tương tự như khi kích đóng thyristor thông thường. Dòng điện kích đóng được tăng đến giá trị IGM và sau đó giảm xuống đến giá trị IG . Điểm khác biệt so với yêu cầu xung kích đóng. | Điện tử công suất 1 GTO GATE TURN OFF THYRISTOR GTO cô cấu tấô gôm bôn lớp pnpn tương tự với thyristôr thông thường SCR -hình vơi cấc tính nang tương tư cua thyristôr vơi điểm khấc biệt la cô thệ điệu khiển ngat dông điện qua nô. Mạch tương đương GTO đước vệ trển hình cô 1-24 Điện tử công suất 1 cấu truc tương tự mạch mô tấ SCR nhưng cô thệm công kích ngất mấc song song công kích đông. Ky hiệu linh kiện GTO vệ trện hình . Cấu truc thực tế loại GTO đôi xưng vệ trên hình . GTO đươc kích đông bấng xung dông điện tương tư như khi kích đông thyristôr thông thương. Dông điện kích đông đươc tấng đến giấ trị IGM vấ sau đô giấm xuông đến giấ trị IG . Điểm khấc biệt sô vơi yệu cấu xung kích đông SCR lấ dông kích iG phấi tiếp tuc duy trì trông suốt thơi gian GTO dấn điện. HI .27c - Quẩ trình điện ẩp vầ dòng điện anode d - Quẩ trình điện ẩp dòng điện mạch cống G Đổ kích ngất GTO xung dông điện ấm lơn đươc đưấ vấô công G - cấthôdệ vơi đô dôc diGọ dt lơn hơn giấ trị qui định cuấ linh kiện nô đẩy cấc hất mấng điện khôi cấthôdệ tức rấ khôi ệmittệr cuấ trấnsistôr pnp vấ trấnsistôr npn sệ không thệ hôất đông ơ chế đô tấi sinh. Sấu khi trấnsistôr npn tất trấnsistôr pnp côn lấi sệ hôất đông vơi cổng kích đông ơ trấng thấi mơ vấ linh kiện trơ vệ trấng thấi không dấn điện. Tuy nhiên dông điện yệu cấu mấch công G đệ tất GTO cô giấ trị khấ lơn. Trông khi xung dông điện cấn đưấ vấô công đế kích đông GTO chỉ cấn đất giấ trị khôấng 3-5 tức khôấng 30A vơi đô rông xung 10 p s đôi vơi lôấi linh kiện cô dông định mức 1000A thì xung dông điện kích công đễ ngất GTO cấn đất đến khôấng 30-50 tưc khôấng 300A vơi đô rông xung khôấng 20-50 p s. Mấch công phấi thiết kế cô khấ nấng tấô xung dông kích tôi thiếu đất cấc giấ trị yệu cấu trên IGQM . Điện ấp cung cấp mấch công đế tấô xung dông lơn vừấ nếu thương cô giấ trị thấp khôấng 10-20V vơi đô rông xung khôấng 20-50 p s nấng lương tiếu tôn chô việc thực hiện kích ngất GTO không cấô. QÚấ trình điện ấp vấ dông điện mấch ấnôdệ

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.