TAILIEUCHUNG - MICROELECTRONIC CIRCUIT DESIGN

Tài liệu tham khảo microelectronic circuit design | MICROELECTRONIC CIRCUIT DESIGN Third Edition Richard C. Jaeger and Travis N. Blalock Answers to Selected Problems - Updated 1 25 08 Chapter 1 years years years years 113 MW 511 kA mV V V mV bit 100011102 A cos 10001 A vds 5 2 sin 25001 4 sin 10001 V V V pA 210 pA 120 pA 125 pA V Q v 56 kQ x 10 3 Vs MQ x 108 is 5 -45 100 -12 sin 750nt mV sin 750nt pA 1 R2 R1 V V Band-pass amplifier sin 2000n1 cos 8000 nl V 0 V 2970Q 3030Q 2850Q 3150Q 2700Q 3300Q 6200Q 800 ppm oC Chapter 2 For Ge cm3 227 x 1013 cm3 x 1015 cm3 cm s cm s A cm2 A cm2 K 4 MA cm2 x 107 A cm2 A K Donor acceptor 200 V cm 5 x 103 atoms 4 x 1016 cm3 x 105 cm3 18 3 3 9 3 -10 3 .28 6 x 10 cm cm 5 x 10 cm x 10 cm 3 x 1017 cm3 333 cm3 100 cm3 1018 cm3 375 cm2 s 100 cm2 s p-type mQ-cm 16 3 zx4 3 2 2 .34 10 cm 10 cm 800 cm s 1230 cm s n-type Q-cm x 1018 cm3 Yes add equal amounts of donor and acceptor impurities. Then n nt p but the mobilities are reduced. See Prob. . Q-cm x 1019 cm3 75K mV 150K mV 300K mV 400K mV x105 exp -5000 x cm A cm2 mA The width in the figure should be 2 pm For x 0 -535 A cm2 pm 2 Chapter 3 pm pm x 10-3 pm V x 105 V cm 3 Í 1 3 A- 3 18 3 -iz 2 _3 .3 10 cm 10 cm 10 cm 10 cm V pm V pm 6400 A cm2 x 1021 cm4 290 K 312K pA V V 0 A x 10 A x 10-18 A V V V V V V mV K V pm pm

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.