TAILIEUCHUNG - Chương IX : Transistor

Cấu tạo của Transistor. ( Bóng bán dẫn ) Transistor gồm ba lớp bán dẫn ghép với nhau hình thành hai mối tiếp giáp P-N , nếu ghép theo thứ tự PNP ta được Transistor thuận , nếu ghép theo thứ tự NPN ta được Transistor ngược. về phương diện cấu tạo Transistor tương đương với hai Diode đấu ngược chiều nhau . | Chương IX - Transistor 1. Cấu tạo của Transistor. Bóng bán dẫn Transistor gồm ba lớp bán dẫn ghép với nhau hình thành hai mối tiếp giáp P-N nếu ghép theo thứ tự PNP ta được Transistor thuận nếu ghép theo thứ tự NPN ta được Transistor ngược. về phương diện cấu tạo Transistor tương đương với hai Diode đấu ngược chiều nhau . Cấu tạo Transistor Ba lớp bán dẫn được nối ra thành ba cực lớp giữa gọi là cực gốc ký hiệu là B Base lớp bán dẫn B rất mỏng và có nồng độ tạp chất thấp. Hai lớp bán dẫn bên ngoài được nối ra thành cực phát Emitter viết tắt là E và cực thu hay cực góp Collector viết tắt là C vùng bán dẫn E và C có cùng loại bán dẫn loại N hay P nhưng có kích thước và nồng độ tạp chất khác nhau nên không hoán vị cho nhau được. 2. Nguyên tắc hoạt động của Transistor. Xét hoạt động của Transistor NPN . Xuan Vinh 0912421959 UCE Mạch khảo sát về nguyên tắc hoạt động của transistor NPN Ta cấp một nguồn một chiều Uce vào hai cực C và E trong đó nguồn vào cực C và - nguồn vào cực E. Cấp nguồn một chiều Ube đi qua công tắc và trở hạn dòng vào hai cực B và E trong đó cực vào chân B cực - vào chân E. Khi công tắc mở ta thấy rằng mặc dù hai cực C và E đã được cấp điện nhưng vẫn không có dòng điện chạy qua mối C E lúc này dòng Ic 0 Khi công tắc đóng mối P-N được phân cực thuận do đó có một dòng điện chạy từ nguồn Ube qua công tắc qua R hạn dòng qua mối BE về cực - tạo thành dòng Ib Ngay khi dòng Ib xuất hiện lập tức cũng có dòng Ic chạy qua mối CE làm bóng đèn phát sáng và dòng Ic mạnh gấp nhiều lần dòng Ib Như vậy rõ ràng dòng Ic hoàn toàn phụ thuộc vào dòng Ib và phụ thuộc theo một công thức . IC Trong đó Ic là dòng chạy qua mối CE Ib là dòng chạy qua mối BE Xuan Vinh 0912421959 p là hệ số khuyếch đại của Transistor Giải thích Khi có điện áp Uce nhưng các điện tử và lỗ trống không thể vượt qua mối tiếp giáp P-N để tạo thành dòng điện khi xuất hiện dòng Ibe do lớp bán dẫn P tại cực B rất mỏng và nồng độ pha tạp thấp

Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.