TAILIEUCHUNG - Phân tích hiệu năng của các thiết kế SRAM trên công nghệ TSMC 90nm CMOS

Nghiên cứu đã phân tích và so sánh các lợi điểm có được của thiết kế 8 transistor (8T) so với 6 transistor (6T) được dùng cho các ô nhớ SRAM. Thiết kế 8T với diện tích thiết kế nhỏ trong khi có thể cải thiện đáng kể độ ổn định. | 26 Phạm Văn Khoa Nguyễn Duy Thông PHÂN TÍCH HIỆU NĂNG CỦA CÁC THIẾT KẾ SRAM TRÊN CÔNG NGHỆ TSMC 90nm CMOS PERFORMANCE ANALYSIS OF SRAM DESIGNS USING TSMC 90nm CMOS TECHNOLOGY Phạm Văn Khoa1 Nguyễn Duy Thông2 1 Trường Đại học Sư phạm Kỹ thuật Tp. Hồ Chí Minh 2 Trường Đại học Quy Nhơn Tác giả liên hệ khoapv@ Nhận bài 12 7 2021 Chấp nhận đăng 10 01 2022 Tóm tắt - Bộ nhớ đệm được cấu tạo từ các ô nhớ truy xuất ngẫu Abstract - Cache memory which is built up of static-random- nhiên tĩnh static random access memory - SRAM là một thành phần access-memory SRAM cells is an important part in computer rất quan trọng trên các máy tính hiện đại nhằm để giảm độ trễ do sự aiming to reduce latency caused by the separation of processor and tách biệt giữa bộ xử lý và bộ nhớ. Các thiết kế bộ nhớ SRAM cần có external memory. Designing of SRAM must consider stability in sự ổn định trong các hoạt động ghi đọc và giữ dữ liệu. Nghiên cứu operation of holding writing and reading. This study analyses and đã phân tích và so sánh các lợi điểm có được của thiết kế 8 transistor shows advantages in using eight-transistor 8T structure in compared 8T so với 6 transistor 6T được dùng cho các ô nhớ SRAM. Thiết with normal six-transistor 6T one for the SRAM cell. The 8T kế 8T với diện tích thiết kế nhỏ trong khi có thể cải thiện đáng kể độ structure occupies a small area while significantly enhancing the ổn định. Hoạt động của bộ nhớ 32 bit được trình bày một cách chi tiết stability. The operation of the 32-bit memory based on the 90nm sử dụng công cụ thiết kế CADENCE SPECTRE trên công nghệ bán complementary metal oxide semiconductor CMOS technology is dẫn kim loại ô-xít bù Complementary Metal Oxide Semiconductor - described in detailed by using the CADENCE SPECTRE tool. CMOS kích thước 90nm. Bên cạnh đó nghiên cứu đưa ra một phân Additionally this study analyses and compares the power tích và so sánh chi tiết công suất tiêu thụ và thời gian trì hoãn với các consumption the delays in .

Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.