TAILIEUCHUNG - Cơ Sở Điện Tử - Kỹ Thuật Ngành Điện Tử part 6

Tham khảo tài liệu 'cơ sở điện tử - kỹ thuật ngành điện tử part 6', kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | độ cho sơ đồ người thiết kế phải chú ý chủ yếu đến việc giảm hệ số ổn định nhiệt độ S. Qua bảng 2-4 trên đây có thể thấy rằng hệ số khuếch đại dòng h21e phụ thuộc vào rất nhiều vào nhiệt độ. Hơn nữa ngay ở cùng một nhiệt độ tranzito có cùng loại ký hiệu được chế tạo như nhau nhưng hệ số h21e của từng chiếc có thể hơn kém nhau vài ba lần. Như đã biết hệ số h21e ảnh hưởng nhiều đến điểm công tác tĩnh của tranzito. Bởi vậy để ổn định điểm công tác tĩnh người thiế kế phải chú ý đến sự thay đổi hệ số h21e có thể có của loại tranzito dùng trong mạch điện. Để định lượng sự phụ thuộc của Ic vào h21e giả thiết rằng các giá trị của Ucc và Rt đã biết hệ số khuếch đại dòng của tranzito biến thiên từ h21e1 đến h21e2 bỏ qua Ico gọi Ic1 là dòng ứng với trường hợp hệ số khuếch đại h21e1 và Ic2 ứng với h21e2 tính được I UB UBE h21e1 Rb IC dRe 2-92 UB UBE Ic2 h21e2 RB L 1 Re 2-93 Lấy hiệu số của 2-92 và 2-93 được 1 Ub UBE h21e h21e1 RB RE i 2-94 C Rb h21e1 1 Re Rb h21e2 1 Re Đem chia biểu thức 2-94 cho 2-92 sẽ được biểu thức cho sự biến thiên tương đối của dòng Ic. 2-95 IC _ h21e1 - h21e2 IC1 h 1 e1 h21e1 l Rb Re Nhận xét biểu thức 2-95 thấy nó có chứa số hạng gần giống như biểu thức định nghĩa về sự ổn định S có thể biến đổi vế phải của 2-95 thành IC _ h21e2 - h21e1 h21e2 1 Ic1 h21e1 h21e2 1 . 1 h21e2 K Nếu gọi S2 là độ ổn định nhiệt độ khi h21e h21e1 thì 2-95 có thể viết thành IC IC1 h21e1 h21e1 1 2-96 2-97 Trong đó Ah21e h21e2 - h21e1 thường gọi là độ sai lệch của h21e. Biểu thức 2-97 cho thấy sự biến đổi dòng colectơ phụ thuộc trực tiếp vào độ sai lệch hệ số khuếch đại h21e kể trên. Ngoài ra biểu thức này còn cho phép người thiết kế tính được giá trị của điện trở cần thiết giữ cho dòng Ic biến đổi trong một phạm vi nhất định khi h21e thay đổi. 61 . Tranzito trường FET Khác với tranzito lưỡng cực đã xét ở phần trên mà đặc điểm chủ yếu là dòng điện trong chúng do cả hai loại hạt dẫn điện tử và lỗ trống tự do tạo nên qua một hệ thống gồm hai mặt ghép p-n rất gần nhau .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.