TAILIEUCHUNG - Preliminary study on gete-sbte and SM-B topological insulators

The process of developing the field of materials science is often driven by the discovery of new advanced materials. Especially, the material characteristics and uniformity of quantum mechanics are considered the most important. Of which, the topological insulator material with electrical insulation in the bulk but high conductivity on the surface has been extensively investigated as a new research direction in recent years due to its interesting properties that can be applied in spintronic applications. In this work, we investigate structural and electrical property of topological insulator materials of [(GeTe)2(Sb2Te3)1]n (GTST) multilayers which were fabricated on the Si wafers using a helicon-wave sputtering system and SmB6 single crystals grown by the Aluminum-flux method; |

TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.