TAILIEUCHUNG - Thời gian tán xạ của điện tử trong giếng lượng tử GaAs/InGaAs/GaAs ở nhiệt độ hữu hạn có xét đến hiệu ứng tương quan trao đổi

Bài viết khảo sát tỉ số thời gian tán xạ vận chuyển τt và thời gian hồi phục đơn hạt τs của khí điện tử tựa hai chiều (Q2DEG) trong giếng lượng tử ghép mạng không đối xứng hữu hạn GaAs/InGaAs/GaAs ở nhiệt độ bất kỳ có xét đến hiệu ứng tương quan – trao đổi thông qua hiệu chỉnh trường cục bộ LFC với gần đúng G = 0, gần đúng Hubbard GH, và gần đúng tự hợp STLS GGA. | Thời gian tán xạ của điện tử trong giếng lượng tử GaAs/InGaAs/GaAs ở nhiệt độ hữu hạn có xét đến hiệu ứng tương quan trao đổi Tạp chí Phát triển Khoa học và Công nghệ – Khoa học Tự nhiên, 3(3):180- 187 Open Access Full Text Article Bài nghiên cứu Thời gian tán xạ của điện tử trong giếng lượng tử GaAs/InGaAs/GaAs ở nhiệt độ hữu hạn có xét đến hiệu ứng tương quan trao đổi Trương Văn Tuấn1,2,* , Nguyễn Quốc Khánh1 , Võ Văn Tài1 TÓM TẮT Chúng tôi khảo sát tỉ số thời gian tán xạ vận chuyển τ t và thời gian hồi phục đơn hạt τ s của khí điện tử tựa hai chiều (Q2DEG) trong giếng lượng tử ghép mạng không đối xứng hữu hạn Use your smartphone to scan this GaAs/InGaAs/GaAs ở nhiệt độ bất kỳ có xét đến hiệu ứng tương quan – trao đổi thông qua hiệu QR code and download this article chỉnh trường cục bộ LFC với gần đúng G = 0, gần đúng Hubbard GH , và gần đúng tự hợp STLS GGA . Chúng tôi xem xét các tán xạ bề mặt nhám, áp điện nhám-cộng hưởng, tạp chất tích điện xa và tạp chất tích điện nền đồng nhất theo mật độ điện tử và theo bề rộng giếng. Trong trường hợp nhiệt độ bằng không và hiệu chỉnh trường cục bộ Hubbard GH , kết quả chúng tôi phù hợp với kết quả của một số tính toán khác. Tại mật độ hạt tải thấp, hiệu chỉnh tương quan – trao đổi ảnh hưởng đáng kể lên tỉ sổ thời gian vận chuyển và thời gian hồi phục đơn hạt. Trong khi ở mật độ cao hiệu ứng hệ nhiều hạt do hiệu chỉnh tương quan – trao đổi ảnh hưởng không đáng kể lên tỉ số thời gian tán xạ vận chuyển và thời gian hồi phục đơn hạt. Với miền mật độ và nhiệt độ khảo sát T = 0,3TF , nhiệt độ ảnh hưởng không đáng kể lên tỉ số thời gian tán xạ vận chuyển và thời gian hồi phục đơn hạt cho cả bốn cơ chế tán xạ. Bên cạnh đó, với sự thay đổi của bề rộng giếng, ảnh hưởng của LFC và nhiệt độ lên tỉ số τ t/ τ s là không đáng kể cho tán xạ áp điện nhám-cộng hưởng, tạp chất tích điện xa và đáng kể cho tán xạ bề mặt nhám, tạp chất chất tích điện nền đồng nhất. Từ khoá: Thời gian

• Điện - Điện tử
• Thời gian tán xạ vận chuyển
• Thời gian hồi phục đơn hạt
• Hiệu ứng tương quan trao đổi
• Khí điện tử
• Tán xạ áp điện nhám cộng hưởng
• Tóm tắt luận án Tiến sĩ
• Tóm tắt luận án Tiến sĩ Vật lý
• Thời gian sống lượng tử
• Hệ hai chiều
• Cơ chế tán xạ
• Xác định các tham số đặc trưng
• Bề mặt vật liệu
• Luận án Tiến sĩ Vật lý
• Luận án Tiến sĩ
• Giếng lượng tử
• Hiệu ứng uốn cong
• Thời gian sống vận chuyển
• Pha tạp một phía
• Cơ chế tán xạ cơ bản trong giếng lượng tử