TAILIEUCHUNG - Chế tạo graphene bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học

Bài viết nghiên cứu chế tạo hệ CVD nhằm sản xuất graphene trên đế Cu. Bài viết cũng làm rõ cơ chế hình thành graphene trên đế Cu và đưa ra được quy trình chi tiết chế tạo graphene bằng phương pháp CVD. | Chế tạo graphene bằng phương pháp lắng đọng hơi hóa học TẠP CHÍ KHOA HỌC VÀ CÔNG NGHỆ JOURNAL OF SCIENCE AND TECHNOLOGY TRƯỜNG ĐẠI HỌC HÙNG VƯƠNG HUNG VUONG UNIVERSITY Tập 14, Số 1 (2019): 54–59 Vol. 14, No. 1 (2019): 54–59 ISSN 1859-3968 Email: tapchikhoahoc@  Website: CHẾ TẠO GRAPHENE BẰNG PHƯƠNG PHÁP LẮNG ĐỌNG HƠI HÓA HỌC Nguyễn Long Tuyên1, Nguyễn Thị Huệ1, Cao Huy Phương1, Nguyễn Ngọc Đỉnh2 Trường Đại học Hùng Vương; 1 Trường Đại học Khoa học Tự nhiên Hà Nội 2 Ngày nhận: 21/5/2019; Ngày sửa chữa: 21/6/2019; Ngày duyệt đăng: 28/6/2019 Tóm tắt G raphene được biết đến như một vật liệu có nhiều tính chất hứa hẹn và nhiều ứng dụng mang tính đột phá trong khoa học và công nghệ; được phát hiện lần đầu vào năm 2004. Hiện nay, phương pháp lắng đọng hơi hóa học (CVD) được sử dụng như là một phương pháp hữu dụng nhất trong việc sản xuất graphene chất lượng cao, đặc biệt là trên đế đồng (Cu) và đế niken (Ni). Trong bài báo này, chúng tôi nghiên cứu chế tạo hệ CVD nhằm sản xuất graphene trên đế Cu. Chúng tôi cũng làm rõ cơ chế hình thành graphene trên đế Cu và đưa ra được quy trình chi tiết chế tạo graphene bằng phương pháp CVD. Từ khóa: Graphene, lắng đọng hơi hóa học, phổ Raman. 1. Mở đầu cảm biến sinh học, cảm biến khí và siêu tụ Graphene là một mạng lưới hai chiều của tích trữ năng lượng. các nguyên tử carbon có hình dạng tổ ong Mặc dù có nhiều tính chất vượt trội, được liên kết lai hóa sp2 với nhau. Vật liệu nhưng những tính chất này ban đầu chỉ có này, do K. S. Novoselov và A. K. Geim cùng ở những mẫu được sản xuất bằng phương cộng sự [1] phát hiện lần đầu vào năm 2004, pháp bóc tách. Tuy nhiên, nhược điểm của đã nhận được sự quan tâm rất lớn của các phương pháp này là sản lượng thấp (hay nhà nghiên cứu do những tính chất đặc biệt thời gian để sản xuất một mẫu rất lớn). Một của nó. Do có cấu trúc hai chiều kết hợp phương pháp khác cũng đạt được graphene với liên kết

• Hoá học
• Lắng đọng hơi hóa học
• Chế tạo graphene
• Cảm biến sinh học
• Cảm biến khí
• Chế tạo hệ CVD
• Tạp chí Hóa học
• Chế tạo màng mỏng Cu2O
• Phương pháp lắng đọng hóa học pha hơi
• Phương pháp lắng đọng hóa học
• Lắng đọng hóa học pha hơi
• Màng mỏng Cu2O
• Vật liệu hai chiều
• Đơn lớp MoS2
• Lắng đọng pha hơi hóa học
• Tiền chất hữu cơ
• Thiếc oxit pha tạp flo
• Thanh nano đồng ôxít
• Cấu trúc lai hóa
• Tính chất quang điện hóa
• Lắng đọng hơi hóa học cơ kim
• Cấu trúc thanh nano CuO/MoS2
• Lắng đọng hóa học cacbon
• Vật liệu Graphit
• Lỗ xốp nanomet
• Công nghệ hóa
• Công nghệ vật liệu
• Công nghệ CVD
• Luận án tiến sĩ
• Luận án tiến sĩ hóa học
• Luận án hóa lý thuyết
• Luận án hóa lý
• Luận án hợp chất hữu cơ
• Ứng dụng của vật liệu cacbon nano
• tương tác phân tử
• phản ứng oxi hóa
• nghiên cứu phức chất
• pnghiên cứu hóa học
• công nghệ hóa học
• hóa học đời sống
• Cacbon nano ống
• Vật liệu cacbon nano
• Công nghệ sản xuất vật liệu cacbon nano
• Dự thảo Tóm tắt Luận án Tiến sĩ
• Tóm tắt Luận án Tiến sĩ
• Luận án Tiến sĩ ngành Hóa vô cơ
• Phương pháp lắng đọng hơi hóa học
• Màng mỏng oxit bán dẫn
• Phương pháp CVD
• Bài thuyết trình Phương pháp CVD
• Điều kiện trong CVD
• Phản ứng hóa học trong CVD
• Cơ chế trong CVD
• Luận văn Thạc sĩ Khoa học
• Hóa học vô cơ
• Chế tạo màng ZnO
• Cacboxylat kim loại
• Khoa học màng mỏng
• Phương pháp lắng đọng pha hơi
• Luận văn Thạc sĩ
• Luận văn Thạc sĩ Vật lý
• Quang học
• Màng graphene tổng hợp
• Chế tạo màng graphene
• Vật liệu graphene
• Chế tạo màng mỏng Si3Nn4
• Chế tạo màng mỏng SiO2
• Màng treo Si3N4
• Vật liệu màng mỏng
• Tính chất điện và quang
• Màng pha tạp silic vô định hình
• Công suất plasma
• Pin mặt trời chuyển tiếp dị thể
• Luận văn Vật liệu và linh kiện nano
• Cấu trúc nano
• Vật liệu Graphite
• Phương pháp Lắng đọng pha hơi hóa học
• biến tính ZnO
• Vật liệu xúc tác quang
• Hiệu suất xử lý
• Phương pháp XRD
• Phương pháp thủy nhiệt