TAILIEUCHUNG - Nghiên cứu chế tạo chấm lượng tử graphene ứng dụng làm lớp truyền lỗ trống trong pin mặt trời hữu cơ
Trong bài báo này nghiên cứu và chế tạo chấm lượng tử graphene (GQDs) bằng phương pháp Hummer cải tiến kết hợp khử NH3. Đường kính chấm lượng tử thu được khoảng 6 nm, được ứng dụng làm lớp truyền lỗ trống trong pin mặt trời hữu cơ, nhằm tăng hiệu suất lượng tử của pin mặt trời. GQDs thân thiện với môi trường, được chế tạo ở nhiệt độ thấp, có thể cô cạn thành dạng bột và hòa tan tốt trong các dung môi phân cực | Nghiên cứu chế tạo chấm lượng tử graphene ứng dụng làm lớp truyền lỗ trống trong pin mặt trời hữu cơ TẠP CHÍ PHÁT TRIỂN KHOA HỌC & CÔNG NGHỆ: 113 CHUYÊN SAN KHOA HỌC TỰ NHIÊN, TẬP 2, SỐ 5, 2018 Nghiên cứu chế tạo chấm lượng tử graphene ứng dụng làm lớp truyền lỗ trống trong pin mặt trời hữu cơ Hoàng Thị Thu*, Huỳnh Trần Mỹ Hòa, Phạm Hoài Phương, Nguyễn Hoàng Hưng, Lê Thụy Thanh Giang, Trần Quang Trung Tóm tắt—Trong bài báo này chúng tôi đã nghiên đó là cường độ dòng đoản mạch khá nhỏ. Một cứu và chế tạo chấm lượng tử graphene (GQDs) trong những giải pháp cho bài toán này là việc sử bằng phương pháp Hummer cải tiến kết hợp khử dụng các lớp chức năng chèn vào giữa các lớp hoạt NH3. Đường kính chấm lượng tử thu được khoảng 6 tính của pin hoặc giữa các lớp hoạt tính với điện nm, được ứng dụng làm lớp truyền lỗ trống trong cực nhằm làm giảm sự chênh rào thế giữa các lớp pin mặt trời hữu cơ, nhằm tăng hiệu suất lượng tử này, mục đích tăng khả năng thu thập hạt tải tại các của pin mặt trời. GQDs thân thiện với môi trường, được chế tạo ở nhiệt độ thấp, có thể cô cạn thành điện cực [5-8]. Trong xu thế đó, vật liệu graphene dạng bột và hòa tan tốt trong các dung môi phân (giải Nobel 2010) đã thu hút được rất nhiều sự chú cực. Chấm lượng tử graphene với cấu trúc không ý trong những năm gần đây nhờ các tính chất đặc chiều (0D) có công thoát phù hợp với vật liệu biệt của nó như công thoát của vật liệu có thể thay polymer dẫn đã làm tăng dòng đoản mạch (từ 2,41 đổi được nhờ vào sự pha tạp các nano kim loại mA/cm2 lên 4,38 mA/cm2) cho pin mặt trời chuyển khác nhau [9-11], và đặc biệt độ rộng vùng cấm tiếp dị thể làm tăng hiệu suất so với cấu trúc pin của chúng có thể điều khiển được thông qua điều truyền thống. khiển kích thước hạt [12, 13]. Điều này rất có ý Từ khóa —chấm lượng tử, graphene, thủy nhiệt vi nghĩa trong việc tạo ra các mức năng lượng trung sóng, pin mặt trời hữu cơ, lớp truyền lỗ trống gian phù hợp với các .
đang nạp các trang xem trước
