TAILIEUCHUNG - Nghiên cứu chế tạo diode phát quang trên nền vật liệu Ge/Si pha tạp điện tử mật độ cao ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp

Trong nghiên cứu này, pha tạp loại n vào màng Ge bằng kỹ thuật đồng pha tạp từ hai nguyên tố P và Sb với mật độ điện tử đã kích hoạt cao (4,2x1019cm-3 ). Diode phát quang dựa trên chuyển tiếp p-n được nghiên cứu chế tạo. | Nghiên cứu chế tạo diode phát quang trên nền vật liệu Ge/Si pha tạp điện tử mật độ cao ứng dụng trong lĩnh vực quang điện tử tích hợp ISSN: 1859-2171 TNU Journal of Science and Technology 204(11): 17 - 22 e-ISSN: 2615-9562 NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO DIODE PHÁT QUANG TRÊN NỀN VẬT LIỆU Ge/Si PHA TẠP ĐIỆN TỬ MẬT ĐỘ CAO ỨNG DỤNG TRONG LĨNH VỰC QUANG ĐIỆN TỬ TÍCH HỢP Lương Thị Kim Phượng Đại học Hồng Đức TÓM TẮT Là một chất bán dẫn chuyển tiếp xiên nhưng cấu trúc vùng năng lượng của Ge có thể thay đổi khi đồng thời tạo ra ứng suất căng và pha tạp điện tử với mật độ cao trong màng Ge. Khi đó hiệu suất phát quang của lớp Ge được tăng lên đáng kể và việc hiện thực hoá nguồn sáng dựa trên nền Ge/Si tương thích với công nghệ CMOS trở nên rõ nét. Trong nghiên cứu này, pha tạp loại n vào màng Ge bằng kỹ thuật đồng pha tạp từ hai nguyên tố P và Sb với mật độ điện tử đã kích hoạt cao (4,2x1019cm-3). Diode phát quang dựa trên chuyển tiếp p-n được nghiên cứu chế tạo. Trong đó lớp n được tăng trưởng từ vật liệu Ge pha tạp điện tử mật độ cao bằng kỹ thuật epitaxy chùm phân tử (MBE). Cấu trúc của diode được quan sát bằng kính hiển vi quang học và kính hiển vi điện tử quét (SEM). Các đặc trưng quang, điện của diode được khảo sát thông qua các phép đo: đường đặc trưng vôn- ampe; phổ điện phát quang ở nhiệt độ phòng. Từ khóa: Germani; đồng pha tạp; diode phát quang; P và Sb; phổ điện phát quang Ngày nhận bài: 14/5/2019; Ngày hoàn thiện: 21/5/2019; Ngày đăng: 26/7/2019 INVESTIGATE AND FABRICATE A LIGHT EMITTING DIODE BASED ON Ge/Si CO-DOPED WITH P AND Sb FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS Luong Thi Kim Phuong Hong Duc University ABSTRACT Ge is well-known an indirect band gap material, however its energy band structure could be modified by inducing a tensile strain combination with highly n-type doping. Thus, the photoluminescence efficiency of Ge thin-film increases significantly and provides an oppotunity application of .

• Điện - Điện tử
• Đồng pha tạp
• Diode phát quang
• Phổ điện phát quang
• Kỹ thuật đồng pha tạp
• Đường đặc trưng vôn ampe
• Ảnh hưởng pha tạp N
• Tính chất cảm biến quang
• Cấu trúc dị thể p SnO2 đồng pha tạp
• p SnO2 đồng pha tạp Zn
• Phún xạ magnetron DC
• Đồng pha tạp Indium
• Đồng pha tạp Gallium
• Màng mỏng ZnO
• Ảnh hưởng của đồng pha tạp
• Chấm lượng tử ZnSe
• Pha tạp ion Mn2+
• Đồng kết tủa
• Mn2+ trong môi trường nước
• Lượng tử ZnSe pha tạp
• Cấu trúc vật liệu BiFeO3
• Tính chất từ của vật liệu
• Vật liệu BiFeO3 đồng pha tạp
• Vật liệu gốm Bi0 9Sm0 1Fe1 xCoxO3
• Pha tạp chất từ tính
• Thủy tinh lithium borate lead
• Đồng pha tạp ion Sm3+ và Ce3+
• Tạp chí Khoa học Đại học Đồng Nai
• Thủy tinh borate
• Đo liều bức xạ ion hóa
• Thép không gỉ 316L
• Màng hydroxyapatite pha tạp đồng
• Trao đổi ion
• Chủng khuẩn P
• aerugimosa
• Động học quá trình trao đổi ion
• Phản ứng giả bậc hai
• Cấu trúc tinh thể
• Tính chất sắt điện
• Tính chất sắt từ
• BFO đồng pha tạp
• Phổ tán xạ Raman
• GaP và Sb
• Mật độ điện tử
• Phổ huỳnh quang
• Phép đo phổ nhiễu xạ điện tử phản xạ
• Ion Sm3+ và Tb3+
• Thủy tinh aluminoborate kiềm
• Tb3+ đồng pha tạp
• Tính chất quang của ion Sm3+
• Tính chất quang của ion Tb3+
• Khoá luận tốt nghiệp
• Khoá luận tốt nghiệp ngành Hoá vô cơ
• Chế tạo vật liệu nano ZnS
• Phương pháp đồng kết tủa
• Cấu trúc vật liệu ZnS pha tạp Cu2+
• Nguyên tử antimony
• Màng Ge/Gi đồng pha tạp Sb và P
• Kỹ thuật chụp cắt lớp đầu dò nguyên tử
• Chùm phân tử MBE
• Phản xạ năng lượng cao RHEED
• Kính hiển vi điện tử truyền qua
• Bài báo nghiên cứu khoa học
• Phân bố nguyên tử P và Sb
• Kỹ thuật cắt lớp đầu dò nguyên tử
• Tạp chí Khoa học và Công nghệ
• Điều khiển mờ
• Logic mờ trong hệ thống điều khiển
• Điều khiển đồng tốc động cơ
• Động cơ không đồng bộ ba pha
• Hàm lượng pha tạp yttria
• Nhiệt độ thiêu
• Tính chất cơ học của sứ zirconia
• Sự già hóa
• Luận văn Thạc sĩ
• Hóa phân tích
• Luận văn Thạc sĩ Hóa học
• Tín hiệu Von Ampe hòa tan
• Điện cực kim cương pha tạp BO
• Tạp chí phân tích
• Xác định Cd trong sữa bột
• Xác định Cu trong sữa bột
• Xác định Pb trong sữa bột
• Xác định Zn trong sữa bột
• Phương pháp pha loãng đồng vị
• Tạp chí hóa học
• Phân tích đồng thời Sb(III) và Sb(V)
• Kỹ thuật chiết pha rắn
• Phổ hấp thụ nguyên tử hiđrua hóa
• Phép đo phổ
• Quá trình trao đổi ion
• Biến tần 4Q
• Biến tần 4 góc phần tư
• Động cơ xoay chiều không đồng bộ ba pha
• Hệ truyền động 4Q Sinamics S120
• Tạp chí khoa học
• Công nghệ năng lượng
• Điều chỉnh độ rộng xung SIR
• Chuyển mạch cầu nghịch lưu
• Tạp chí Khoa học Đại học Quốc gia Hà Nội
• Thuốc giảm đau không steroid
• Điện di mao quản
• Chiết pha rắn
• Bezafibrate trong nước tiểu
• Hệ gốm không chì
• Hệ gốm Bi0
• Cấu trúc perovskite
• Phương pháp phản ứng pha
• Vật liệu áp điện không chì
• Quang phát quang
• Vật liệu phát quang Sr2Al2SiO7
• Ion đất hiếm
• Phương pháp phản ứng pha rắn
• Phổ bức xạ của Sr2Al2SiO7
• Thị trường tài chính
• Đồng Nhân dân tệ
• Sự phá giá đồng Nhân dân tệ
• Hệ thống tài chính
• Chính sách tiền tệ
• Tạp chí Tài chính
• Hoạt động xuất nhập khẩu
• Trung Quốc phá giá đồng nhân dân tệ
• Quan hệ thương mại
• Các mặt hàng Việt Nam
• Giảm giá đồng nhân dân tệ