TAILIEUCHUNG - Chế tạo màng mỏng dẫn điện trong suốt oxide kẽm có độ linh động điện tử cao bằng phương pháp phún xạ magnetron DC trong hỗn hợp khí argon và hydrogen

Màng mỏng dẫn điện trong suốt ZnO có độ linh động điện tử cao được phủ trên đế thủy tinh bằng phương pháp phún xạ magnetron DC trong hỗn hợp khí argon và hydrogen (Ar + H2) ở nhiệt độ phòng. | Science & Technology Development, Vol 18, Chế tạo màng mỏng dẫn điện trong suốt oxide kẽm có độ linh động điện tử cao bằng phương pháp phún xạ magnetron DC trong hỗn hợp khí argon và hydrogen Đinh Thị Đức Hạnh Hoàng Văn Dũng Trần Cao Vinh Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG-HCM ( Bài nhận ngày 10 tháng 12 năm 2014, nhận đăng ngày 23 tháng 09 năm 2015) TÓM TẮT 2 -1 -1 Màng mỏng dẫn điện trong suốt ZnO có nhiều so với giá trị 23 cm .V .s đạt được độ linh động điện tử cao được phủ trên đế trong màng ZnO phủ bằng phún xạ trong khí thủy tinh bằng phương pháp phún xạ Ar thuần (ZnO) với cùng điều kiện chế tạo. 20 magnetron DC trong hỗn hợp khí argon và Bên cạnh đó, giá trị nồng độ điện tử 1,5 10 -3 hydrogen (Ar + H2) ở nhiệt độ phòng. Một cm trong màng ZnO:H cũng cao hơn giá trị 19 -3 lượng nhỏ khí H2 đưa vào trong khí phún xạ 6×10 cm trong màng ZnO. Kết quả XRD Ar cải thiện đáng kể độ linh động điện tử của và FESEM cho thấy màng ZnO:H có kích màng mỏng ZnO. Với tỉ lệ H2/Ar theo lưu thước hạt tinh thể lớn hơn so với màng ZnO. lượng dòng khí đưa vào từ 7,2 % đến 19,2 Với độ dày 600 nm, các phép đo phổ UV%, điện trở suất của màng ZnO có H Vis-NIR và đầu dò 4 mũi cho thấy màng -4 (ZnO:H) ổn định và đạt giá trị là ×10 ZnO:H (cùng với đế) có độ truyền qua trung . Ở tỉ lệ dòng khí H2/Ar là 7,2 %, độ linh bình trong vùng bước sóng 380-1100 nm là động Hall của điện tử trong màng ZnO:H đạt 83 % và điện trở mặt là 11 /vuông. 2 -1 -1 giá trị cao nhất là 61 cm .V .s , lớn hơn rất Từ khóa: dẫn điện trong suốt; màng mỏng ZnO; phún xạ magnetron DC; độ linh động điện tử. MỞ ĐẦU Ngày nay màng mỏng trong suốt dẫn điện đã được ứng dụng hết sức rộng rãi trong rất nhiều các thiết bị quang – điện tử, chẳng hạn như là trong thiết bị diod phát quang (LEDs) [1], màn hình hiển thị phẳng [2], pin mặt trời [3, 4] Màng mỏng ZnO là một lựa chọn được nhiều nhóm nghiên cứu quan tâm phát triển để ứng dụng trong các thiết bị quang – điện tử trên, bởi vì màng mỏng ZnO có

• Hoá học
• Chế tạo màng mỏng dẫn điện
• Phương pháp phún xạ magnetron DC
• Hỗn hợp khí argon và hydrogen
• Dẫn điện trong suốt
• Linh động điện tử
• Màng mỏng oxide dẫn điện trong suốt
• Màng mỏng ZnO
• Cấu trúc tinh thể
• Màng mỏng oxide
• Thiết bị quang điện tử
• Màn hình hiển thị
• Chế tạo màng mỏng SnO2
• Màng mỏng SnO2
• Cấu trúc Nano
• Phương pháp Sol gel
• Vật liệu dẫn điện
• Điện tử học spin
• Màng mỏng ZnO:Mn
• Chế tạo màng mỏng ZnO
• Spintronics bán dẫn
• Nhiễu xạ tia X
• Luận văn Thạc sĩ Khoa học
• Luận văn Thạc sĩ
• Vật lý chất rắn
• Màng dẫn điện trong suốt ZnO
• Vật liệu màng mỏng
• Màng nano ZnO
• Luận án Tiến sĩ
• Luận án Tiến sĩ Vật lý
• Vật lý điện từ
• Màng mỏng bán dẫn
• Dung dịch rắn A2B6
• Dung dịch rắn bán dẫn
• Luận án Tiến sĩ Kỹ thuật
• Màng gương nóng
• Màng kim loại
• tính chất vật lý
• cách điện polymer
• phương pháp thí nghiệm
• tổng hợp phức chất
• khoa học công nghệ
• nghiên cứu khoa học
• hệ thống thông tin
• Tạp chí khoa học
• Màng mỏng TiO2
• TiO2 pha tạp Cu
• Nhạy khí
• Kim loại chuyển tiếp
• Bán dẫn loại p
• Luận văn Thạc sĩ Vật lí
• Pin mặt trời thế hệ hai
• Đặc điểm cấu trúc chất bán dẫn
• Tính chất quang của màng mỏng SiGe
• Công nghệ micrô điện tử
• Công nghệ nanô điện tử
• Chế tạo mặt nạ
• Chế tạo vật liệu bán dẫn khối
• Công nghệ lớp mặt
• Công nghệ chế tạo màng mỏng
• dẫn xuất 3 axetylcumarrin
• phản ứng oxi hóa
• nghiên cứu phức chất
• nghiên cứu hóa học
• công nghệ hóa học
• hóa học đời sống