TAILIEUCHUNG - Mô phỏng Monte carlo ba chiều đi ốt p-i-n bán dẫn GaAs có tính đến tương tác Coulomb gần giữa điện tử và lỗ trống

Bài viết Mô phỏng Monte carlo ba chiều đi ốt p-i-n bán dẫn GaAs có tính đến tương tác Coulomb gần giữa điện tử và lỗ trống trình bày: Mô phỏng động lực học ba chiều của các hạt tải trong đi-ốt p-i-n bán dẫn GaAs có tính đến tương tác Coulomb gần giữa điện tử và lỗ trống. Chúng tôi tiến hành mô phỏng linh kiện ứng với các giá trị điện trường ngoài cao cỡ 70, 100 và 130 kV/cm,. . | MÔ PHỎNG MONTE CARLO BA CHIỀU ĐI-ỐT p-i-n BÁN DẪN GaAs CÓ TÍNH ĐẾN TƯƠNG TÁC COULOMB GẦN GIỮA ĐIỆN TỬ VÀ LỖ TRỐNG TRẦN THIỆN LÂN Học viên Cao học, Trường ĐHSP - Đại học Huế ĐINH NHƯ THẢO Trường Đại học Sư phạm - Đại học Huế Tóm tắt: Bài báo này trình bày mô phỏng động lực học ba chiều của các hạt tải trong đi-ốt p-i-n bán dẫn GaAs có tính đến tương tác Coulomb gần giữa điện tử và lỗ trống. Chúng tôi tiến hành mô phỏng linh kiện ứng với các giá trị điện trường ngoài cao cỡ 70, 100 và 130 kV/cm. Kết quả mô phỏng chỉ ra rằng tương tác này cho đóng góp điện trường cỡ 106 V/m, bằng 1/10 điện trường toàn phần trong linh kiện. Kết quả cũng chỉ ra hiện tượng vượt quá vận tốc và giá trị vận tốc thu được sai khác không nhiều so với trường hợp không tính đến tương tác Coulomb gần. Điều đó chứng tỏ tương tác Coulomb gần có vai trò không đáng kể và có thể bỏ qua trong hầu hết các tính toán thông thường. 1 GIỚI THIỆU Mô phỏng là một trong những phương pháp hiệu quả để nghiên cứu linh kiện bán dẫn nano. Có nhiều phương pháp mô phỏng khác nhau, ví dụ: phương pháp kéo theo khuếch tán, phương pháp các phương trình cân bằng, phương pháp hàm Green. Trong quá trình mô phỏng ta cần tính toán sự phân bố điện thế trong linh kiện, mà biểu thị tương tác Coulomb xa và cũng chính là nghiệm của phương trình Poisson. Mô phỏng ba chiều (3D) đã được thực hiện trong nhiều tính toán khác và cho kết quả phù hợp tốt với thực nghiệm. Tuy nhiên, trong nhiều trường hợp, tùy thuộc vào loại bài toán, người ta thường bỏ qua tương tác Coulomb gần giữa điện tử và lỗ trống do tính phức tạp của việc tính toán và do lực tương tác được dự đoán là khá nhỏ (cỡ 10−13 N). Trong trường hợp mật độ hạt tải cao lực tương tác Coulomb gần Tạp chí Khoa học và Giáo dục, Trường Đại học Sư phạm Huế ISSN 1859-1612, Số 04(12)/2009: tr. 21-28 22 TRẦN THIỆN LÂN - ĐINH NHƯ THẢO giữa các điện tử và lỗ trống sẽ nhận giá trị lớn. Có nhiều nhóm tác giả đã nghiên cứu mô phỏng một chiều đi-ốt p-i-n bán dẫn GaAs cũng như mô phỏng .

• Điện - Điện tử
• Mô phỏng Monte carlo
• Bán dẫn GaAs có tính đến tương tác
• Tương tác Coulomb gần giữa điện tử
• Tính tương tác
• Coulomb gần giữa điện tử và lỗ trống
• Kinh tế học đại cương
• Kinh tế vi mô
• Bài giảng mô phỏng Monte Carlom
• Lý thuyết Monte Carlo
• Ứng dụng Monte Carlo
• Bài giảng Mô phỏng Monte Carlo
• Biến ngẫu nhiên
• Thiết lập biến ngẫu nhiên
• Tối ưu hóa
• Financial Modeling
• Cân bằng lỏng hơi của Flo
• Tương tác phân tử AB Initio mới
• Phân tử AB Initio mới
• Mô phỏng Monte Carlo cân bằng lỏng hơi
• Phương pháp mô phỏng monte carlo
• Ước lượng thời gian dự phòng
• Tiến độ thi công xây dựng
• Thi công xây dựng
• Phương pháp tính liều tuyệt đối
• Năng lượng photon 6 MV
• Máy gia tốc tuyến tính Siemens Primus M5497
• Máy gia tốc tuyến tính
• Ba chiều bức xạ
• Bức xạ Terahertz
• Bề mặt bán dẫn InAs
• Monte carlo ba chiều bức xạ Terahertz
• Ứng dụng phương pháp Monte carlo
• Phương pháp Monte carlo
• Mô phỏng chất lượng không khí
• Thành Phố Hồ Chí Minh
• Chùm khói Ôzone
• Khóa luận tốt nghiệp
• Shell Model Monte Carlo
• Mô phỏng mẫu lớp
• Phương pháp mô phỏng Model Carlo
• Phép nghịch đảo ma trận
• Luận văn Thạc sĩ Vật lý hạt nhân
• Monte Carlo MCNP5
• Lý thuyết về xạ trị
• Tổng quan về máy gia tốc tuyến tính
• Thể tích tán xạ
• Gamma tán xạ ngược
• Tán xạ Compton
• Xác định thể tích vùng tán xạ
• Luận văn tốt nghiệp đại học
• Luận văn ngành Sư phạm vật lý
• Kỹ thuật xử lý phổ
• Phương pháp gamma tán xạ ngược
• Chương trình mô phỏng Monte Carlo
• Monte Carlo
• mô phỏng tối ưu
• giá trị biến số
• mô hình mô phỏng
• công ty Airbus
• đánh giá tài chính
• Tạp chí Khoa học và Công nghệ năng lượng
• Mô phỏng nhiều trạng thái
• Tuabin gió
• Lưới điện thử nghiệm IEEE RTS
• Bộ phát Terahertz
• Hiệu ứng Dember
• Hiệu ứng Dember quang
• Phương pháp mô phỏng
• Tích hợp phương pháp Monte carlo
• Phương pháp phương trình cân bằng
• Mô phỏng linh kiện
• Phương trình cân bằng trong mô phỏng linh kiện
• Linh kiện đi ốt p i n bán dẫn GaAs
• Mô phỏng vận chuyển photon và electron
• Mô phỏng vận chuyển
• Ngôn ngữ lập trình C++
• Vân chuyển bức xạ
• Vận hành tối ưu hồ chứa
• Mô phỏng chuỗi dòng chảy đến hồ
• Phần mềm Crystal Ball
• Lưu vực sông Vu Gia Thu Bồn
• Khóa luận tốt nghiệp Kỹ sư
• Kỹ sư kỹ thuật hạt nhân
• Mô phỏng Monte Carlo OpenMC
• Phương pháp Mone Carlo
• Khảo sát đặc trưng phổ Gamma
• Đặc trưng phổ Gamma
• Đầu dò nhấp nháy Nai
• Phân giải năng lượng
• Độ phân giải năng lượng
• Khóa luận tốt nghiệp Đại học
• Vận chuyển Photon Electron
• Hiệu ứng quang điện
• Mô phỏng va chạm Rayleigh
• phân tích rủi ro
• tài liệu kinh tế đầu tư
• bài giảng kinh tế đầu tư
• nghiên cứu kinh tế đầu tư
• đề cương kinh tế đầu tư
• Toán tài chính
• Lý thuyết xác suất
• Thống kê toán học
• Luận văn thạc sĩ Toán học
• Luận văn thạc sĩ
• Phép đo chiều dày vật liệu
• Thực nghiệm phép đo chiều dày vật liệu
• Kiểm chứng phép đo chiều dày vật liệu
• Hệ chuyên dụng MYO 101
• Cường độ tia gamma tán xạ
• Luận văn Thạc sĩ Vật lý
• Áp dụng EGSnrc
• Phân bố liều quanh nguồn phóng xạ
• Xạ trị áp sát
• Mô phỏng Monte Carlo trong vận chuyển Photon
• Luận văn cao học
• Phân tích rủi ro tài chính
• Dự án xây dựng
• Mô phỏng Monte Carlo
• Quản lý xây dựng
• Mục tiêu nghiên cứu