TAILIEUCHUNG - Nghiên cứu tính chất điện tử của cấu trúc dị thể graphen-Al2O3

Trong bài báo này, chúng tôi nghiên cứu cấu trúc hình học và tính chất điện tử của cấu trúc dị thể giữa graphene và Al2O3 với hai kiểu xếp lớp khác nhau sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ kết hợp mô hình tương tác yếu van-der-Waals (vdW). Kết quả nghiên cứu chỉ ra rằng, tương tác giữa graphene và lớp đế A. | NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT ĐIỆN TỬ CỦA CẤU TRÚC DỊ THỂ GRAPHENE-Al2 O3 NGUYỄN VĂN CHƯƠNG Bộ môn Vật liệu và Công nghệ vật liệu, Học viện Kỹ thuật Quân sự BÙI ĐÌNH HỢI Khoa Vật lý, Trường Đại học Sư phạm Huế Tóm tắt: Trong bài báo này, chúng tôi nghiên cứu cấu trúc hình học và tính chất điện tử của cấu trúc dị thể giữa graphene và Al2 O3 với hai kiểu xếp lớp khác nhau sử dụng phương pháp phiếm hàm mật độ kết hợp mô hình tương tác yếu van-der-Waals (vdW). Kết quả nghiên cứu chỉ ra rằng, tương tác giữa graphene và lớp đế Al2 O3 được đặc trưng bởi tương tác yếu vdW với khoảng cách giữa hai lớp là 3,45 ˚ A và 3,32 ˚ A tương ứng với các kiểu xếp lớp khác nhau. Đồng thời, dưới ảnh hưởng của lớp đế Al2 O3 , trong giản đồ vùng năng lượng của cấu trúc dị thể xuất hiện vùng cấm của graphene với độ rộng khoảng 50 meV. Sự xuất hiện vùng cấm của graphene mở ra rất nhiều ứng dụng cho graphene, đặc biệt trong các linh kiện điện tử và quang điện tử nano. Từ khóa: graphene, Al2 O3 , tính chất điện tử 1 GIỚI THIỆU Với cấu trúc hai chiều đơn lớp nguyên tử cacbon, độ linh động điện tử cao cỡ 200 000 cm2 /Vs, graphene được kỳ vọng thay thế Si trong các linh kiện điện tử và quang điện tử tương lai như transistor hiệu ứng trường (FET) [1]. Tuy nhiên, một vấn đề lớn khi sử dụng graphene trong các ứng dụng của linh kiện điện tử đó là graphene có khe năng lượng (vùng cấm) bằng không (gap-less). Đã có nhiều nghiên cứu khác nhau nhằm mục đích thay đổi cấu trúc phổ năng lượng của graphene, tức là tạo ra một khe năng lượng cho graphene. Có hai phương pháp cơ bản để mở rộng khe năng lượng cho graphene. Phương pháp thứ nhất là dựa trên hiệu ứng giam giữ lượng tử, bằng cách tạo ra dải nano graphene một chiều (one-dimensional graphene nanoribbon) nhằm thay đổi giá trị các mặt năng lượng tại các điểm K và K’ [2, 3]. Dựa trên hiệu ứng giam giữ lượng tử, các nhà thực nghiệm và lý thuyết đã nghiên cứu tạo ra các dải nano graphene một chiều với bề rộng khoảng 10 nm, độ rộng vùng cấm của dải nano graphene .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.