TAILIEUCHUNG - Chuyển dời quang liên vùng trong chấm lượng tử InAs/GaAs

Trong bài báo này chúng tôi trình bày nghiên cứu về chuyển dời quang liên vùng trong chấm lượng tử InAs/GaAs. Chúng tôi khảo sát phổ hấp thụ trong trường hợp trong hệ tồn tại sóng điện từ cộng hưởng có cường độ mạnh làm tái chuẩn hóa các hàm sóng của điện tử. | CHUYỂN DỜI QUANG LIÊN VÙNG TRONG CHẤM LƯỢNG TỬ InAs/GaAs TRẦN THỊ MAI TRÂM - DƯƠNG ĐÌNH PHƯỚC ĐINH NHƯ THẢO Trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế Tóm tắt: Trong bài báo này chúng tôi trình bày nghiên cứu về chuyển dời quang liên vùng trong chấm lượng tử InAs/GaAs. Chúng tôi khảo sát phổ hấp thụ trong trường hợp trong hệ tồn tại sóng điện từ cộng hưởng có cường độ mạnh làm tái chuẩn hóa các hàm sóng của điện tử. Kết quả thu được cho thấy khi có sự xuất hiện của sóng điện từ cộng hưởng chúng tôi thu được hai đỉnh hấp thụ của chuyển dời quang liên vùng tương ứng với chuyển dời giữa hai mức năng lượng thấp nhất của điện tử và lỗ trống. Chúng tôi cũng thu được sự phụ thuộc của cường độ và năng lượng của các đỉnh hấp thụ vào độ lệch cộng hưởng của sóng điện từ và bán kính của chấm lượng tử. Từ khóa: phổ hấp thụ, chuyển dời quang liên vùng, chấm lượng tử, InAs, GaAs. 1 GIỚI THIỆU Các vật liệu bán dẫn có kích thước na-nô ngày càng có vai trò to lớn trong ngành công nghiệp điện tử vì vậy ngày càng thu hút nhiều sự quan tâm của các nhà nghiên cứu và ứng dụng, đặc biệt là các loại cấu trúc bán dẫn thấp chiều [1]. Với sự phát triển của công nghệ chế tạo người ta đã tạo ra được các loại cấu trúc thấp chiều với việc giảm chiều hiệu dụng của vật liệu từ ba chiều-vật liệu khối đến không chiều-chấm lượng tử. Chấm lượng tử là cấu trúc thấp chiều trong đó hạt tải bị hạn chế chuyển động tự do theo cả ba chiều không gian [2,3]. Hiệu ứng giam giữ lượng tử trong chấm lượng tử bán dẫn thể hiện rất rõ và phụ thuộc mạnh vào kích thước của chấm. Hiện tượng tách vạch quang phổ của nguyên tử hay phân tử dưới tác dụng của điện trường hay từ trường ngoài mà ta thường biết đến như là các hiệu ứng Stark và Zeeman đã được nghiên cứu từ lâu. Tuy nhiên việc nghiên cứu hiện tượng tách vạch quang phổ tương tự trong các loại vật liệu gặp phải một số khó khăn. May mắn là, nhờ sự phát triển của các laser xung ngắn, hiện tượng tách vạch phổ của exciton trong các bán dẫn dưới tác dụng của điện trường của .

TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
34    211    1    20-04-2024
46    186    0    20-04-2024
8    170    0    20-04-2024
20    197    2    20-04-2024
15    183    0    20-04-2024
37    137    0    20-04-2024
10    115    0    20-04-2024
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.