Đang chuẩn bị liên kết để tải về tài liệu:
Báo cáo hóa học: " Phosphor-Free Apple-White LEDs with Embedded Indium-Rich Nanostructures Grown on Strain Relaxed Nano-epitaxy GaN"

Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Phosphor-Free Apple-White LEDs with Embedded Indium-Rich Nanostructures Grown on Strain Relaxed Nano-epitaxy GaN | Nanoscale Res Lett 2010 5 1788-1794 DOI 10.1007 s11671-010-9712-0 NANO EXPRESS Phosphor-Free Apple-White LEDs with Embedded Indium-Rich Nanostructures Grown on Strain Relaxed Nano-epitaxy GaN C. B. Soh W. Liu A. M. Yong S. J. Chua S. Y. Chow S. Tripathy R. J. N. Tan Received 28 June 2010 Accepted 19 July 2010 Published online 1 August 2010 The Author s 2010. This article is published with open access at Springerlink.com Abstract Phosphor-free apple-white light emitting diodes have been fabricated using a dual stacked InGaN GaN multiple quantum wells comprising of a lower set of long wavelength emitting indium-rich nanostructures incorporated in multiple quantum wells with an upper set of cyan-green emitting multiple quantum wells. The lightemitting diodes were grown on nano-epitaxially lateral overgrown GaN template formed by regrowth of GaN over SiO2 film patterned with an anodic aluminum oxide mask with holes of 125 nm diameter and a period of 250 nm. The growth of InGaN GaN multiple quantum wells on these stress relaxed low defect density templates improves the internal quantum efficiency by 15 for the cyan-green multiple quantum wells. Higher emission intensity with redshift in the PL peak emission wavelength is obtained for the indium-rich nanostructures incorporated in multiple quantum wells. The quantum wells grown on the nano-epitaxially lateral overgrown GaN has a weaker piezoelectric field and hence shows a minimal peak shift with application of higher injection current. An enhancement of external quantum efficiency is achieved for the apple-white light emitting diodes grown on the nano-epitaxially lateral overgrown GaN template based on the light -output power C. B. Soh W. Liu A. M. Yong S. J. Chua S. Y. Chow S. Tripathy R. J. N. Tan Institute of Materials Research and Engineering A STAR Agency for Science Technology and Research 3 Research Link Singapore 117602 Singapore e-mail cb-soh@imre.a-star.edu.sg S. J. Chua e-mail elecsj@nus.edu.sg S. J. Chua .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.