Đang chuẩn bị nút TẢI XUỐNG, xin hãy chờ
Tải xuống
Bài báo nghiên cứu hiệu ứng Stark quang học trong mô hình hệ ba mức trong chấm lượng tử InN/GaN bằng phương pháp hàm sóng tái chuẩn hóa. | NGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG STARK QUANG HỌC TRONG CHẤM LƯỢNG TỬ InN/GaN PHAN THỊ ÁI NHỊ LÊ THỊ NGỌC BẢO, ĐINH NHƯ THẢO Khoa Vật lý, trường Đại học Sư phạm, Đại học Huế Tóm tắt: Trong bài báo này chúng tôi nghiên cứu hiệu ứng Stark quang học trong mô hình hệ ba mức trong chấm lượng tử InN/GaN. Chúng tôi khảo sát phổ hấp thụ của exciton trong chấm lượng tử hình cầu dưới tác dụng của sóng bơm laser cộng hưởng với hai mức năng lượng lượng tử hóa của điện tử bằng phương pháp hàm sóng tái chuẩn hóa. Chúng tôi đã xác định được biểu thức xác suất hấp thụ trong một đơn vị thời gian và khảo sát sự phụ thuộc của hệ số hấp thụ vào bán kính của chấm lượng tử, độ lệch cộng hưởng trong trường hợp có sóng bơm. Từ khóa: Hiệu ứng Stark quang học, chấm lượng tử, InN, GaN, độ lệch cộng hưởng 1 GIỚI THIỆU Ngày nay, vật lý học đã có sự chuyển hướng đối tượng nghiên cứu chính từ các vật liệu bán dẫn khối có cấu trúc ba chiều sang bán dẫn thấp chiều. Các hệ bán dẫn thấp chiều là những hệ có cấu trúc phẳng hai chiều như giếng lượng tử, cấu trúc một chiều như dây lượng tử và cấu trúc không chiều như chấm lượng tử [1]. Một trong những cấu trúc thấp chiều đang được quan tâm nghiên cứu là chấm lượng tử. Chấm lượng tử là cấu trúc giam giữ hạt vi mô trong cả ba chiều không gian. Hiệu ứng giam giữ lượng tử trong chấm lượng tử thể hiện rất rõ và phụ thuộc mạnh vào kích thước của chấm. Hiệu ứng Stark quang học là hiện tượng tách mức năng lượng của điện tử (lỗ trống) dưới tác dụng của sóng bơm laser cộng hưởng với hai mức năng lượng lượng tử hóa của điện tử (lỗ trống). Hiệu ứng này đã làm thay đổi đáng kể phổ hấp thụ của exciton. Vì vậy nó đã tạo ra sự thay đổi lớn trong các ứng dụng quang học [2]. Gần đây, chất bán dẫn nhóm III-nitride đã trở thành trọng tâm của nghiên cứu do đặc tính vật lý độc nhất và tiềm năng cao của chúng. Các đặc tính đó thể hiện rõ trong dị cấu Tạp chí Khoa học và Giáo dục, Trường Đại học Sư phạm Huế ISSN 1859-1612, Số 01(45)/2018: tr. 77-84 Ngày nhận bài: 06/10/2017; Hoàn thành
